FIB(聚焦离子束)技术在芯片分析中扮演着至关重要的角色,尤其在芯片失效分析方面展现了其强大的功能。FIB技术通过在纳米尺度上对芯片进行精确加工和分析,成为解决复杂芯片失效问题的关键工具。其高精度、灵活性和及时性使得工程师能够准确地定位失效点,分析失效原因,从而为芯片的改进和优化提供有力依据。
在芯片失效分析中,FIB技术的高精度和灵活性使其能够精确切割和制作芯片的剖面,暴露内部结构,帮助工程师找出潜在的缺陷和失效机制。这种技术不仅在汽车级芯片的分析中表现出色,还在其他复杂芯片的失效分析中广泛应用。
1、FIB实例

FIB位置

切割点具体位置及坐标

FIB后图片
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